基礎・教養教育センター神谷克政准教授が国際会議においてThe Best Paper Awardを受賞しました(2015.04.03)

2013年10月に米国で開催された国際会議The 224th Electrochemical Society(ECS) Meetingにおいて、基礎・教養教育センター神谷克政准教授らが発表した研究論文が「The Best Paper Award」を受賞しました。授賞式は2014年10月にメキシコで開催されたThe 226th ECS Meetingで行なわれました。
この国際会議は、米国を中心としたElectrochemical Societyが年2回開催する電気化学・電子工学に関する会議で、2015年の春で227回目の開催となります。

論文では、次世代超省エネメモリの候補の1つである抵抗変化型メモリ(ReRAM)の動作機構についての研究成果が発表されました。ReRAMは、省エネルギー化社会実現の決め手となる待機電力ゼロのコンピュータなどの開発において、最重要メモリの1つです。ところが、その開発上の大きな問題として「ReRAMがなぜ動くのか」が分からない点がありました。本論文では、ReRAMの動作機構を物理的な視点から解明し、それに基づくメモリの設計指針を提案しました。その内容が高く評価され、「The Best Paper Award」が受賞されました。

神谷准教授は受賞に際し、「ナノテクノロジーは、極微の世界で原子や分子を操作し加工応用する技術で、次世代メモリのような新素材や、IT、バイオ、環境などの幅広い産業発展の基盤です。さらなる応用には、新素材が機能する仕組みをサイエンスの視点から解明することが欠かせません。私は、コンピューター・シミュレーション(模擬実験)を用いて、例えば新素材がもつ物性の起源や酵素がはたらく仕組みを原子レベルで研究しています。こうした学際的な研究を通して、基礎科学(物理・化学・生物・地学など)の重要性も実感しています。今後も、研究を進めると同時に、そこで得られる科学を学ぶ楽しさや有用性を授業や研究室活動を通して学生さんに伝えていきたいです。」と今後の抱負を述べました。

■論文題目
Theoretical Design of Desirable Stack Structure for Resistive Random Access Memories
「抵抗変化型メモリの多層構造に対する理論的デザイン」

■著者
Katsumasa Kamiya, Moon Young Yang, Blanka Magyari-Kope, Masaaki Niwa, Yoshio Nishi, Kenji Shiraishi
神谷克政、Moon Young Yang、Blanka Magyari-Kope、丹羽正昭、西義雄、白石賢二

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